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    2. 電話:400-0532-778
      砷化鎵設備

      砷化鎵多晶合成爐

      砷化鎵多晶合成爐
      產品詳情:

      VGF 、HB 、HGF 、VB產品特點:

      ★用于GaAs等化合物晶體的生長         

      ★按結構形式:垂直生長,水平生長

      ★按生長方式:梯度生長及移動生長        

      ★晶體生長尺寸::2-6寸

      ★設備分類:HB 、HGF 、VGF 、 VB     

      ★提供專用的Ⅲ-Ⅴ,Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體的晶體薄膜生長制成專用設備,以滿足化合物半導體器件的生產、研發工藝。

      主要技術指標:

      ★結構型式:單管水平式,加熱爐體可左右移動    

      ★適合2~4″晶體生長工藝(可定制)。

      ★爐體有效加熱長度:1600mm            

      ★最高工作溫度:1300℃

      ★恒溫區精度(靜態閉管):±0.5℃

      ★升溫速率(室溫~1260℃):斜變升溫速率可控在0~15℃/min

      ★降溫(1300℃~900℃):0~5℃/min         

      ★供電電源:三相五線~380V±10% ,50Hz


      熱門標簽:砷化鎵多晶合成爐
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