VGF 、HB 、HGF 、VB產品特點：

★用于GaAs等化合物晶體的生長         

★按結構形式:垂直生長,水平生長

★按生長方式:梯度生長及移動生長        

★晶體生長尺寸:：2-6寸

★設備分類:HB 、HGF 、VGF 、 VB     

★提供專用的Ⅲ-Ⅴ,Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體的晶體薄膜生長制成專用設備,以滿足化合物半導體器件的生產、研發工藝。

主要技術指標：

★結構型式：單管水平式，加熱爐體可左右移動    

★適合2~4″晶體生長工藝（可定制）。

★爐體有效加熱長度：1600mm            

★最高工作溫度：1300℃

★恒溫區精度（靜態閉管）：±0.5℃

★升溫速率（室溫~1260℃）：斜變升溫速率可控在0~15℃/min

★降溫（1300℃~900℃）：0~5℃/min         

★供電電源：三相五線~380V±10% ,50Hz

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產品分類

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