產品詳情:

一.設備概述:
 本設備主要用于集成電路、電力電子等行業的關鍵電子專用設備,氫氧合成是將3-6英寸硅片放置于氧氣或水蒸氣的氛圍中進行高溫熱處理,在硅片表面形成氧化膜的過程,氧化工藝是集成電路工藝中應用最廣泛的基礎工藝之一,氧化膜的用途廣泛,可作為離子注入的阻擋層及注入穿透層(損傷緩沖層)、表面鈍化、絕緣柵材料以及器件保護層、隔離層、器件結構的介質層等制程濕氧工藝,采用電腦工控機軟件控制方式,是其性能技術指標已經達到國際先進技術水平。 
 
 二.設備類型參數:

方式:

左/右手操作方式,大工作臺面(側面采用高效凈化)

可配工藝管數量:

1-5管系統

凈化臺潔凈度:

100級(10000級廠房) 

氣體流量控制: 

均用MFC控制 

氣路流量設定精度:

±2%FS

送取片方式: 

自動推拉,采用Sic漿推拉舟,軟著陸方式 

推拉桿行程 

1800mm-2100mm

速度: 

20mm-1000mm/min

承重: 

≥15kg

冷卻系統:

水冷2-4Kgf/cm2,8L/min;+上接排風冷≈25m3/min; 

使用類型: 

3-6寸爐管 

可加工硅片尺寸

3-6英寸

工作溫度: 

500~1100℃ 

爐管有效口徑:

¢150-240mm

總功率: 

15-28KVA(單管)   保溫功率:8-15KVA

三相五線制: 

380V±10%,50Hz±10%,次級線不小于35平方高溫線 

報警:

具有超溫報警,斷偶報警,氣體互鎖,氣體緩啟動等功能 

恒溫區長度及段數: 

800-1100mm(3-5段控溫) 

控溫精度: 

±1℃(≧1100℃) 

單點溫度穩定性: 

±1℃/12h

控溫方式: 

工控機 + PLC控制 + 觸摸屏 

熱偶類型:

熱電偶采用S/R型,每管Spike 4-10支熱偶 

最大可控升溫范圍: 

(600~1100℃)0--15℃/min

最大可控降溫范圍: 

(1100~600℃)0--10℃/min

設備總外形尺寸: 

根據設備配置不同,尺寸有所不同 

三.主要構成:

1、

設備主機

2、

加熱系統

3、

排風冷卻系統

4、

排毒箱(和設備主機做為一體)De

5、

凈化工作臺

6、

控制系統

7、

自動石英漿推拉舟機構

8、

點火系統 

四.設備主要特點和優勢
 1★具有強大的軟件功能,友好的人機界面,用戶可以方便地修改工藝控制參數,并可隨時顯示各種工藝狀態;配有故障自診斷軟件,可大大節省維修時間;  
 2★采用高可靠性工控機+PLC模式,對爐溫、進退舟、氣體流量、閥門進行全自動控制,實現全部工藝過程自動化; 
 3★程序可以實現手/自動工作,在停電或中途停機后,再次啟動可以根據工藝手動升溫,節省工藝時間;  
 4★具有多種工藝管路,可供用戶方便選擇;  
 5★冷端采用PT100檢測環境溫度進行溫度補償,避免環境溫度變化,對爐膛溫度產生影響,避免層間干擾;  
 6★推拉舟控制采用高速脈沖閉環控制,避免馬達丟步,運行顫抖現象。推拉舟運行完一個周期,自動校準位置,有效防止定位偏差;  
 7★氣體流量采用數字化精確控制,采用模擬信號閉環控制,強弱電分開,各種數據交互采用標準總線,提高抗干擾能力,保證數據安全;氣體打開具有緩啟動功能;  
 8★具有多種報警功能及安全保護功能;  
 9★恒溫區自動調整,串級控制,可準確控制反應管的實際工藝溫度;  
 10★壓力自動調整技術,將壓力參數引入晶體硅擴散/氧化/氫氧合成工藝,有效減小了尾部排風對工藝的干擾,減小由排風引起的工藝波動。 


熱門標簽:氫氧合成擴散爐
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