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          擴散爐爐體的相關操作

          編輯:青島育豪微電子設備有限公司  時間:2020-08-18

          擴散爐爐體可以完全由進口爐替代,優質加熱爐絲,進口絕緣材料,采用國外先進的加工工藝,該爐可在高溫下使用,處理12英寸以下的硅,工作溫度2000至1286年。擴散爐爐體用于大規模集成電路,分立器件,電力電子,光電器件和光纖的擴散,氧化,退火,合金化和燒結工藝。擴散過程的主要目的是通過將元素磷和硼擴散到硅晶片中來在高溫條件下摻雜半導體晶片,以改變和控制半導體內的雜質的類型,濃度和分布,以便建立不同的電特性使用低壓氣氛的新低壓磷擴散可以在小化對環境的影響的同時,實現更好的箱體阻力均勻性和更大的生產量。氧化工藝是將硅表面在高溫下與氧化劑反應,生長一層二氧化硅薄膜。氧化方法是干氧和濕氧,濕氧,包括水蒸汽氧化和氫氣和氧氣的合成兩種。

          一、使用擴散爐爐體的注意事項:      

          a:烘擴散爐爐體通蒸汽時必須先脫水,緩慢進行,防止水擊。      

          b:擴散爐爐體的爐膛分別升至150℃、320℃時恒溫,目的是脫除吸附水和結晶水。      

          c:烘擴散爐爐體過程中要加強檢查,升溫要勻速緩慢,嚴格按烘擴散爐爐體升溫曲線進行,發現異?,F象立即請示處理。 

          二、對擴散爐爐體的烘熱后的檢查:      

          a:檢查各部砌磚有無裂縫,耐火襯里有無脫落,鋼架、吊掛有無彎曲變形,爐管有無變形,基礎有無下沉等。      

          b:如果耐火襯里表面脫落深度超過15mm,或脫落深度達到耐火層厚度的五分之一時,需要進行鑿洞修補。      

          c:如果耐火襯里出現大于3mm的皸裂,如何處理由設計單位研究決定。     

          d:擴散爐爐體的爐膛在烘擴散爐爐體前放的磚樣進行取樣分析水份,低于7%為合格,等待正常開工。 

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