相關產品
一. 設備概述：
LPCVD低壓化學氣相淀積是半導體集成電路制造的重要工序之一，本設備主要用于：4-6英寸硅片LTO=二氧化硅、SIPOS=含氧多晶硅、SI3N4=氮化硅、PSG=磷硅玻璃、POLY=多晶硅薄膜的生長。它是將原材料氣體（或者液態源氣化）用熱能激活發生化學反應而在基片表面生成固體薄膜。低壓化學氣相淀積是在低壓下進行的，由于氣壓低，氣體分子平均自由程大,使生長的薄膜均勻性好,而且基片可以豎放而裝片量大，特別適用于大規模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件和光導纖維等行業的工業化生產專用設備，采用電腦工控機軟件控制方式，是其性能技術指標已經達到國際先進技術水平。
二．設備類型參數：
| 方式： | 左/右手操作方式，大工作臺面（側面采用高效凈化） |
可配工藝管數量： | 1-4管系統 |
可裝片數： | 200片/管 |
淀積膜種類 | LTO-二氧化硅、SIPOS-含氧多晶硅、SI3N4-氮化硅、PSG-磷硅玻璃、POLY-多晶硅、TEOS-氧化硅 |
凈化臺潔凈度： | 100級（10000級廠房） |
氣體流量控制： | 均用數字化MFC控制 |
氣路流量設定精度： | ±2%FS |
氣路氣密性： | 優于1×10-7pa.m3/s |
送取片方式： | 自動推拉,采用Sic漿推拉舟 |
推拉桿行程 | 1800mm-2100mm |
速度： | 20mm-1000mm/min |
裝舟方式: | 自動裝卸石英舟 |
冷卻系統： | 水冷2～4Kgf/cm2，8L/min；＋上接排風冷≈25m3/min； |
使用類型： | 3-6寸爐管 |
工作溫度： | 400～1000℃ |
爐管有效口徑: | ￠150-220mm |
總功率： | 15-25KVA/管 保溫功率：8-15KVA/管 |
三相五線制： | 380V±10%，50Hz±10%，次級線不小于35平方高溫線 |
報警: | 具有超溫報警，斷偶報警，氣體互鎖，氣體緩啟動等功能 |
恒溫區長度及段數： | 800-1200mm（3-5段控溫） |
控溫精度及長度靜態閉管測試： | ±1℃（≧800℃） |
單點溫度穩定性： | 靜態閉管測試≤±1℃/24h |
控溫方式： | 工控機 + PLC控制 + 觸摸屏 |
熱偶類型: | 熱電偶采用S/R型，每管Spike 4-10支熱偶 |
最大可控升溫范圍： | (600～1000℃)0--15℃/min |
最大可控降溫范圍： | (1000～600℃)0--10℃/min |
真空機組： | 初級直連干泵+羅茨泵 |
系統極限真空度： | 優于0.5Pa |
抽速： | 抽至極限真空時間＜10Min。 |
工作壓力范圍： | ±0.2Pa/20~133Pa |
系統漏氣率： | 停泵關閥后壓升率＜1.6pa/min |
設備總外形尺寸： | 長*寬*高：6500*1500*3750mm |
淀積薄膜均勻性(1500情況下)：
| 薄膜 | 片內 | 片間 | 批間 |
Si3N4 | ±3％ | ±3％ | ±4％ |
TEOS-SiO2 | ±3％ | ±4％ | ±4％ |
Poly-Si | ±3％ | ±4％ | ±4％ |
三、主要構成：
| 1、 | 設備主機 |
2、 | 加熱系統 |
3、 | 排風冷卻系統 |
4、 | 排毒箱（和設備主機做為一體） |
5、 | 凈化工作臺 |
6、 | 控制系統 |
7、 | 自動碳化硅漿推拉舟機構 |
8、 | 真空機組系統 |
四、設備主要特點和優勢
1★具有強大的軟件功能，友好的人機界面，用戶可以方便地修改工藝控制參數，并可隨時顯示各種工藝狀態；配有故障自診斷軟件，可大大節省維修時間；
2★采用高可靠性工控機+PLC模式，對爐溫、進退舟、氣體流量、閥門進行全自動控制,實現全部工藝過程自動化；
3★程序可以實現手/自動工作，在停電或中途停機后，再次啟動可以根據工藝手動升溫，節省工藝時間；
4★具有多種工藝管路，可供用戶方便選擇；
5★冷端采用PT100檢測環境溫度進行溫度補償，避免環境溫度變化，對爐膛溫度產生影響，避免層間干擾；
6★推拉舟裝載采用Sic懸臂漿，避免與工藝管摩擦產生粉塵，推拉舟運行完一個周期，自動校準位置，有效防止定位偏差；
7★氣體流量采用數字化精確控制，采用模擬信號閉環控制，強弱電分開，各種數據交互采用標準總線，提高抗干擾能力，保證數據安全；氣體打開具有緩啟動功能；
8★具有多種報警功能及安全保護功能；
9★恒溫區自動調整，串級控制，可準確控制反應管的實際工藝溫度；
版權所有：青島育豪微電子設備有限公司 
手機版
<tbody id="23e4l"></tbody>
<th id="23e4l"><track id="23e4l"></track></th>
