產品詳情:

一. 設備概述:

LPCVD低壓化學氣相淀積是半導體集成電路制造的重要工序之一,本設備主要用于:4-6英寸硅片LTO=二氧化硅、SIPOS=含氧多晶硅、SI3N4=氮化硅、PSG=磷硅玻璃、POLY=多晶硅薄膜的生長。它是將原材料氣體(或者液態源氣化)用熱能激活發生化學反應而在基片表面生成固體薄膜。低壓化學氣相淀積是在低壓下進行的,由于氣壓低,氣體分子平均自由程大,使生長的薄膜均勻性好,而且基片可以豎放而裝片量大,特別適用于大規模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件和光導纖維等行業的工業化生產專用設備,采用電腦工控機軟件控制方式,是其性能技術指標已經達到國際先進技術水平。 

二.設備類型參數:

方式:

左/右手操作方式,大工作臺面(側面采用高效凈化)

可配工藝管數量:

1-4管系統

可裝片數:

200片/管

淀積膜種類

LTO-二氧化硅、SIPOS-含氧多晶硅、SI3N4-氮化硅、PSG-磷硅玻璃、POLY-多晶硅、TEOS-氧化硅

凈化臺潔凈度:

100級(10000級廠房)

氣體流量控制:

均用數字化MFC控制

氣路流量設定精度:

±2%FS

氣路氣密性:

優于1×10-7pa.m3/s

送取片方式:

自動推拉,采用Sic漿推拉舟

推拉桿行程

1800mm-2100mm

速度:

20mm-1000mm/min

裝舟方式:

自動裝卸石英舟

冷卻系統:

水冷2~4Kgf/cm2,8L/min;+上接排風冷≈25m3/min;

使用類型:

3-6寸爐管

工作溫度:

400~1000℃

爐管有效口徑:

¢150-220mm

總功率:

15-25KVA/管   保溫功率:8-15KVA/管

三相五線制:

380V±10%,50Hz±10%,次級線不小于35平方高溫線

報警:

具有超溫報警,斷偶報警,氣體互鎖,氣體緩啟動等功能

恒溫區長度及段數:

800-1200mm(3-5段控溫)

控溫精度及長度靜態閉管測試:

±1℃(≧800℃)

單點溫度穩定性:

靜態閉管測試≤±1℃/24h

控溫方式:

工控機 + PLC控制 + 觸摸屏

熱偶類型:

熱電偶采用S/R型,每管Spike 4-10支熱偶

最大可控升溫范圍:

(600~1000℃)0--15℃/min

最大可控降溫范圍:

(1000~600℃)0--10℃/min

真空機組:

初級直連干泵+羅茨泵

系統極限真空度:

優于0.5Pa

抽速:

抽至極限真空時間<10Min。

工作壓力范圍:

±0.2Pa/20~133Pa

系統漏氣率:

停泵關閥后壓升率<1.6pa/min

設備總外形尺寸:

長*寬*高:6500*1500*3750mm

 淀積薄膜均勻性(1500情況下):

薄膜

片內

片間

批間

Si3N4

±3%

±3%

±4%

TEOS-SiO2

±3%

±4%

±4%

Poly-Si

±3%

±4%

±4%

 三、主要構成:

1、

設備主機

2、

加熱系統

3、

排風冷卻系統

4、

排毒箱(和設備主機做為一體)

5、

凈化工作臺

6、

控制系統

7、

自動碳化硅漿推拉舟機構

8、

真空機組系統

 四、設備主要特點和優勢

 1★具有強大的軟件功能,友好的人機界面,用戶可以方便地修改工藝控制參數,并可隨時顯示各種工藝狀態;配有故障自診斷軟件,可大大節省維修時間; 
 2★采用高可靠性工控機+PLC模式,對爐溫、進退舟、氣體流量、閥門進行全自動控制,實現全部工藝過程自動化; 
 3★程序可以實現手/自動工作,在停電或中途停機后,再次啟動可以根據工藝手動升溫,節省工藝時間; 
 4★具有多種工藝管路,可供用戶方便選擇; 
 5★冷端采用PT100檢測環境溫度進行溫度補償,避免環境溫度變化,對爐膛溫度產生影響,避免層間干擾; 
 6★推拉舟裝載采用Sic懸臂漿,避免與工藝管摩擦產生粉塵,推拉舟運行完一個周期,自動校準位置,有效防止定位偏差; 
 7★氣體流量采用數字化精確控制,采用模擬信號閉環控制,強弱電分開,各種數據交互采用標準總線,提高抗干擾能力,保證數據安全;氣體打開具有緩啟動功能; 
 8★具有多種報警功能及安全保護功能;
 9★恒溫區自動調整,串級控制,可準確控制反應管的實際工藝溫度;


熱門標簽:LPCVD擴散爐
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