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          電話:400-0532-778
          擴散爐

          LPCVD擴散爐

          LPCVD擴散爐
          產品詳情:

          一. 設備概述:

          LPCVD低壓化學氣相淀積是半導體集成電路制造的重要工序之一,本設備主要用于:4-6英寸硅片LTO=二氧化硅、SIPOS=含氧多晶硅、SI3N4=氮化硅、PSG=磷硅玻璃、POLY=多晶硅薄膜的生長。它是將原材料氣體(或者液態源氣化)用熱能激活發生化學反應而在基片表面生成固體薄膜。低壓化學氣相淀積是在低壓下進行的,由于氣壓低,氣體分子平均自由程大,使生長的薄膜均勻性好,而且基片可以豎放而裝片量大,特別適用于大規模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件和光導纖維等行業的工業化生產專用設備,采用電腦工控機軟件控制方式,是其性能技術指標已經達到國際先進技術水平。 

          二.設備類型參數:

          方式:

          左/右手操作方式,大工作臺面(側面采用高效凈化)

          可配工藝管數量:

          1-4管系統

          可裝片數:

          200片/管

          淀積膜種類

          LTO-二氧化硅、SIPOS-含氧多晶硅、SI3N4-氮化硅、PSG-磷硅玻璃、POLY-多晶硅、TEOS-氧化硅

          凈化臺潔凈度:

          100級(10000級廠房)

          氣體流量控制:

          均用數字化MFC控制

          氣路流量設定精度:

          ±2%FS

          氣路氣密性:

          優于1×10-7pa.m3/s

          送取片方式:

          自動推拉,采用Sic漿推拉舟

          推拉桿行程

          1800mm-2100mm

          速度:

          20mm-1000mm/min

          裝舟方式:

          自動裝卸石英舟

          冷卻系統:

          水冷2~4Kgf/cm2,8L/min;+上接排風冷≈25m3/min;

          使用類型:

          3-6寸爐管

          工作溫度:

          400~1000℃

          爐管有效口徑:

          ¢150-220mm

          總功率:

          15-25KVA/管   保溫功率:8-15KVA/管

          三相五線制:

          380V±10%,50Hz±10%,次級線不小于35平方高溫線

          報警:

          具有超溫報警,斷偶報警,氣體互鎖,氣體緩啟動等功能

          恒溫區長度及段數:

          800-1200mm(3-5段控溫)

          控溫精度及長度靜態閉管測試:

          ±1℃(≧800℃)

          單點溫度穩定性:

          靜態閉管測試≤±1℃/24h

          控溫方式:

          工控機 + PLC控制 + 觸摸屏

          熱偶類型:

          熱電偶采用S/R型,每管Spike 4-10支熱偶

          最大可控升溫范圍:

          (600~1000℃)0--15℃/min

          最大可控降溫范圍:

          (1000~600℃)0--10℃/min

          真空機組:

          初級直連干泵+羅茨泵

          系統極限真空度:

          優于0.5Pa

          抽速:

          抽至極限真空時間<10Min。

          工作壓力范圍:

          ±0.2Pa/20~133Pa

          系統漏氣率:

          停泵關閥后壓升率<1.6pa/min

          設備總外形尺寸:

          長*寬*高:6500*1500*3750mm

           淀積薄膜均勻性(1500情況下):

          薄膜

          片內

          片間

          批間

          Si3N4

          ±3%

          ±3%

          ±4%

          TEOS-SiO2

          ±3%

          ±4%

          ±4%

          Poly-Si

          ±3%

          ±4%

          ±4%

           三、主要構成:

          1、

          設備主機

          2、

          加熱系統

          3、

          排風冷卻系統

          4、

          排毒箱(和設備主機做為一體)

          5、

          凈化工作臺

          6、

          控制系統

          7、

          自動碳化硅漿推拉舟機構

          8、

          真空機組系統

           四、設備主要特點和優勢

           1★具有強大的軟件功能,友好的人機界面,用戶可以方便地修改工藝控制參數,并可隨時顯示各種工藝狀態;配有故障自診斷軟件,可大大節省維修時間; 
           2★采用高可靠性工控機+PLC模式,對爐溫、進退舟、氣體流量、閥門進行全自動控制,實現全部工藝過程自動化; 
           3★程序可以實現手/自動工作,在停電或中途停機后,再次啟動可以根據工藝手動升溫,節省工藝時間; 
           4★具有多種工藝管路,可供用戶方便選擇; 
           5★冷端采用PT100檢測環境溫度進行溫度補償,避免環境溫度變化,對爐膛溫度產生影響,避免層間干擾; 
           6★推拉舟裝載采用Sic懸臂漿,避免與工藝管摩擦產生粉塵,推拉舟運行完一個周期,自動校準位置,有效防止定位偏差; 
           7★氣體流量采用數字化精確控制,采用模擬信號閉環控制,強弱電分開,各種數據交互采用標準總線,提高抗干擾能力,保證數據安全;氣體打開具有緩啟動功能; 
           8★具有多種報警功能及安全保護功能;
           9★恒溫區自動調整,串級控制,可準確控制反應管的實際工藝溫度;


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